美光財報考驗 HBM 需求與記憶體週期

美光將於 9 月 30 日美國市場收盤後公布財報，公司指引營收約為 500 億美元，非 GAAP 每股盈餘為 31 美元。分析師預期數字略高，分別為 510.7 億美元與 31.52 美元。市場已在一定程度上反映美光的獲利預期，而其股價今年已上漲近 280%。 交易員正關注 HBM4 生產、傳統 DRAM 與 NAND 價格、資本支出、利潤率，以及 2027 財政年度展望。美光已開始為輝達的 Vera Rubin 平台量產出貨 12 層 HBM4，並預期截至年底 HBM 產能將大幅增加。HBM 日益增加對 DRAM 晶圓產能的使用，可能支撐記憶體價格，但也可能使傳統產品供應趨緊。愛達荷、台灣與新加坡的新設施預計要到 2027 年年中左右才會有重大貢獻。 美光已簽署涵蓋約 20% DRAM 產量及三分之一 NAND 產量的策略性客戶協議，可能提高營收能見度。然而，部分合約中的價格上限可能限制上漲空間。分析師看法仍然分歧：D.A. Davidson 的 Gil Luria 認為 HBM 需求強勁，獲利能見度可延續至 2027 年；投資人 Michael Burry 則透過買入賣權，押注當新增供給追上需求後，未來記憶體市場將走弱。 對交易員而言，主要風險包括 HBM4 良率改善速度較慢、記憶體價格疲弱、資本支出增加及利率上升。美光的財報可能觸發半導體股票劇烈波動，並影響市場對 AI 基礎設施的情緒。風險偏好改變可能進一步波及加密貨幣市場，但對加密貨幣價格的直接影響預計有限。