AI-এর জন্য ২০৩০ সাল পর্যন্ত বার্ষিক HBM রোডম্যাপ নির্ধারণ করল Micron

Micron Technology 2030 সাল পর্যন্ত প্রতি বছর উচ্চ-ব্যান্ডউইথ মেমরির (HBM) একটি নতুন প্রজন্ম চালুর পরিকল্পনা করছে। কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা ও উচ্চক্ষমতাসম্পন্ন কম্পিউটিংকে সামনে রেখে প্রতিষ্ঠানটি তাদের মেমরি রোডম্যাপ সাজাচ্ছে। পরিকল্পনা অনুযায়ী, 2026 সালে HBM4 থেকে শুরু করে 2030 সালে HBM6 আসবে; আর কাস্টম HBM ও ভার্টিক্যাল HBM 2028 সাল থেকে আসবে বলে আশা করা হচ্ছে। Micron জানিয়েছে, তাদের ভার্টিক্যাল HBM বা vHBM প্রতি বিটে 1 পিকোজুলের কম শক্তি ব্যবহার করে প্রায় 2 TB/s ব্যান্ডউইথ দেওয়ার জন্য তৈরি। GPU যাতে আরও সরাসরি ব্যবহার করতে পারে, এমন ফ্ল্যাশ স্টোরেজও প্রতিষ্ঠানটি বিবেচনা করছে। এতে HBM-এর তুলনায় কম খরচে AI সিস্টেমের জন্য উপলভ্য ডেটার পরিমাণ বাড়তে পারে। Micron আশা করছে, 1δ DRAM নোড ও G11 NAND 2027 সালের দ্বিতীয়ার্ধে ব্যাপক উৎপাদনে যাবে। তাদের পূর্বাভাসে DRAM-এর বিট ঘনত্ব প্রায় 20% বাড়বে। 400টিরও বেশি স্তরবিশিষ্ট G11 NAND-এ G9-এর তুলনায় প্রায় দ্বিগুণ বিট ঘনত্ব, দ্রুততর I/O এবং প্রতি ডেটা স্থানান্তরে 25%-এর বেশি কম শক্তি খরচ হবে বলে আশা করা হচ্ছে। Micron মনে করছে, 2028 অর্থবছর পর্যন্ত মেমরির সরবরাহ সীমিত থাকবে। 2030 সাল পর্যন্ত বিক্রির প্রায় 35% কৌশলগত গ্রাহক চুক্তির আওতায় রয়েছে বলে জানা গেছে। এই রোডম্যাপ AI মেমরির ক্রমবর্ধমান চাহিদার ইঙ্গিত দেয়, তবে উৎপাদনে বিলম্ব, উৎপাদন-ফলনসংক্রান্ত চ্যালেঞ্জ এবং AI বিনিয়োগ কমে গেলে পণ্য সরবরাহ ও গ্রহণে প্রভাব পড়তে পারে।