Micron កំណត់ផែនទីបង្ហាញផ្លូវ HBM ប្រចាំឆ្នាំសម្រាប់ AI រហូតដល់ឆ្នាំ 2030

Micron Technology គ្រោងនឹងដាក់ចេញអង្គចងចាំកម្រិតបញ្ជូនទិន្នន័យខ្ពស់ (HBM) ជំនាន់ថ្មីរៀងរាល់ឆ្នាំរហូតដល់ឆ្នាំ 2030 ដោយផ្តោតផែនការអភិវឌ្ឍអង្គចងចាំរបស់ខ្លួនលើបញ្ញាសិប្បនិម្មិត និងកុំព្យូទ័រប្រតិបត្តិការខ្ពស់។ ផែនការនេះចាប់ពី HBM4 នៅឆ្នាំ 2026 ដល់ HBM6 នៅឆ្នាំ 2030 ហើយរំពឹងថា HBM តាមតម្រូវការជាក់លាក់ និង HBM បញ្ឈរនឹងមានចាប់ពីឆ្នាំ 2028។ Micron និយាយថា HBM បញ្ឈររបស់ខ្លួន ឬ vHBM ត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីផ្តល់កម្រិតបញ្ជូនទិន្នន័យប្រហែល 2 TB/s ដោយប្រើថាមពលតិចជាង 1 ភីកូជូលក្នុងមួយប៊ីត។ ក្រុមហ៊ុនក៏កំពុងសិក្សាអំពីឧបករណ៍ផ្ទុកទិន្នន័យ flash ដែល GPU អាចចូលប្រើបានដោយផ្ទាល់ជាងមុន ដែលអាចពង្រីកបរិមាណទិន្នន័យសម្រាប់ប្រព័ន្ធ AI ក្នុងតម្លៃទាបជាង HBM។ Micron រំពឹងថា DRAM node 1δ និង NAND G11 នឹងចាប់ផ្តើមផលិតក្នុងបរិមាណច្រើននៅពាក់កណ្តាលទីពីរនៃឆ្នាំ 2027។ ក្រុមហ៊ុនព្យាករថា ដង់ស៊ីតេប៊ីតរបស់ DRAM នឹងកើនឡើងប្រហែល 20–25%។ NAND G11 ដែលមានស្រទាប់ច្រើនជាង 400 ត្រូវបានរំពឹងថានឹងមានដង់ស៊ីតេប៊ីតប្រហែលពីរដងនៃ G9 មានល្បឿន I/O លឿនជាងមុន និងប្រើថាមពលក្នុងមួយការផ្ទេរទិន្នន័យតិចជាង 25%។ Micron រំពឹងថាការផ្គត់ផ្គង់អង្គចងចាំនឹងនៅតែតឹងតែងរហូតដល់ឆ្នាំសារពើពន្ធ 2028។ តាមសេចក្តីរាយការណ៍ កិច្ចព្រមព្រៀងជាមួយអតិថិជនយុទ្ធសាស្ត្រគ្របដណ្តប់លើការលក់ជិត 35% រហូតដល់ឆ្នាំ 2030។ ផែនការនេះបង្ហាញពីតម្រូវការអង្គចងចាំសម្រាប់ AI ដែលកំពុងកើនឡើង ប៉ុន្តែការពន្យារពេលផលិតកម្ម បញ្ហាទិន្នផលផលិតកម្ម និងការថយចុះណាមួយនៃការវិនិយោគលើ AI អាចប៉ះពាល់ដល់ការដឹកជញ្ជូន និងការទទួលយកប្រើប្រាស់។