مائکرون نے اے آئی کے لیے 2030 تک کا سالانہ HBM روڈ میپ مقرر کر دیا

Micron Technology کا منصوبہ ہے کہ 2030 تک ہر سال ہائی بینڈوڈتھ میموری (HBM) کی ایک نئی نسل متعارف کرائے، کیونکہ کمپنی اپنی میموری روڈمیپ کو مصنوعی ذہانت اور اعلیٰ کارکردگی والی کمپیوٹنگ پر مرکوز کر رہی ہے۔ منصوبے میں 2026 میں HBM4 سے لے کر 2030 میں HBM6 تک کی پیش رفت شامل ہے، جبکہ کسٹم HBM اور عمودی HBM کی آمد 2028 سے متوقع ہے۔ Micron کے مطابق، اس کی عمودی HBM، یعنی vHBM، کو فی بٹ 1 پیکوجول سے کم توانائی استعمال کرتے ہوئے تقریباً 2 TB/s بینڈوڈتھ فراہم کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ کمپنی ایسی فلیش اسٹوریج پر بھی کام کر رہی ہے جس تک GPU زیادہ براہِ راست رسائی حاصل کر سکیں۔ اس سے HBM کے مقابلے میں کم لاگت پر AI سسٹمز کے لیے دستیاب ڈیٹا کا ذخیرہ بڑھ سکتا ہے۔ Micron کو توقع ہے کہ 1δ DRAM نوڈ اور G11 NAND 2027 کی دوسری ششماہی میں بڑے پیمانے پر پیداوار میں داخل ہوں گے۔ کمپنی کا اندازہ ہے کہ DRAM کی بِٹ کثافت میں تقریباً 20% اضافہ ہوگا۔ 400 سے زیادہ تہوں والی G11 NAND سے توقع ہے کہ وہ G9 کے مقابلے میں تقریباً دوگنی بِٹ کثافت، تیز I/O اور ہر ڈیٹا منتقلی پر 25% سے زیادہ کم توانائی استعمال فراہم کرے گی۔ Micron کو توقع ہے کہ مالی سال 2028 تک میموری کی رسد محدود رہے گی۔ اطلاعات کے مطابق، 2030 تک فروخت کا تقریباً 35% حصہ اسٹریٹجک صارفین کے معاہدوں کے تحت آتا ہے۔ یہ روڈمیپ AI میموری کی بڑھتی ہوئی طلب کی نشان دہی کرتا ہے، تاہم پیداواری تاخیر، پیداوار کی شرح سے متعلق مسائل اور AI سرمایہ کاری میں کسی بھی کمی سے ترسیل اور استعمال متاثر ہو سکتے ہیں۔