Micron制定AI用HBM年度路線圖，直至2030年
Micron Technology 計劃直至 2030 年每年推出新一代高頻寬記憶體（HBM），並將記憶體發展藍圖聚焦於人工智能及高效能運算。計劃由 2026 年的 HBM4 延伸至 2030 年的 HBM6，並預計於 2028 年起推出客製化 HBM 及垂直式 HBM。Micron 表示，其垂直式 HBM（vHBM）旨在以每 bit 少於 1 picojoule 的能耗，提供約 2 TB/s 的頻寬。公司亦正研究讓 GPU 可更直接存取的快閃儲存方案，或能以低於 HBM 的成本，擴大 AI 系統可用的數據量。Micron 預計 1δ DRAM 製程節點及 G11 NAND 將於 2027 年下半年進入量產。公司預測 DRAM 的 bit 密度將提高約 20%。擁有超過 400 層的 G11 NAND，預計 bit 密度約為 G9 的兩倍，I/O 速度更快，而且每次數據傳輸的能耗降低超過 25%。Micron 預計記憶體供應緊張的情況將持續至 2028 財政年度。據報，策略性客戶協議涵蓋至 2030 年近 35% 的銷售額。這份發展藍圖顯示 AI 記憶體需求正不斷增長，但生產延誤、良率挑戰，以及 AI 投資放緩，都可能影響交付及市場採用。
Neutral
這份路線圖是對人工智能運算基礎設施作長期投資的訊號，但與加密貨幣價格或交易活動沒有明確而即時的關聯。短期而言，這項公告或會令半導體及人工智能相關股票受到關注；加密貨幣市場則更可能受整體風險情緒、流動性、比特幣資金流向及宏觀經濟消息影響。過往有關人工智能硬件計劃的公告有時能提振科技板塊氣氛，但對加密貨幣的影響一般屬間接且不穩定。長遠而言，記憶體容量增加或可促進數據中心發展及人工智能普及。成功轉型至人工智能和高效能運算的加密貨幣礦工或基建公司或會受惠，但電力和資金方面的競爭亦可能加劇。預計記憶體供應緊張的情況會持續至2028財政年度，或會限制部署；製造延誤、良率問題或人工智能開支減弱，亦可能令路線圖受挫。由於未有公布任何特定的加密貨幣產品、合作夥伴關係或投資，對市場的可能影響有限，最適合歸類為中性。